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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 13 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.75 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 180 pF | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 310 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 52 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 142 ns | 最大开启时间（吨）： | 63 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT8075BN-GULLWING | MICROSEMI |
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13 A, 800 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN |
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| APT8075BN-GULLWING | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT8075BNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-247AD |
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| APT8075BNR-BUTT | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT8075BNR-GULLWING | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT8075BNR-GULLWING | MICROSEMI |
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13A, 800V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN |
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| APT8075BVFR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT8075BVFR_05 | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT8075BVFRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| APT8075BVR | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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