5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APT8075BNR-BUTT
APT8075BNR-BUTT PDF预览

APT8075BNR-BUTT

更新时间： 2024-11-21 13:05:39
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 高压高电压电源
页数 文件大小 规格书
4页 54K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

阅读下载

中文翻译

获取价格

APT8075BNR-BUTT 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1210 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.75 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：310 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APT8075BNR-BUTT 数据手册

 浏览型号APT8075BNR-BUTT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT8075BNR-BUTT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APT8075BNR-BUTT的Datasheet PDF文件第4页 
D
S
TO-247  
G
APT8075BN 800V 13.0A 0.75Ω  
APT8090BN 800V 12.0A 0.90Ω  
POWER MOS IV®  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS  
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT  
APT  
Symbol Parameter  
8075BN  
8090BN  
UNIT  
VDSS  
800  
13  
800  
12  
Volts  
Drain-Source Voltage  
ID  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
1
IDM  
VGS  
56  
48  
Pulsed Drain Current  
Gate-Source Voltage  
±30  
310  
2.48  
Volts  
Watts  
W/°C  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
PD  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
-55 to 150  
300  
°C  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions / Part Number  
MIN  
800  
800  
13  
TYP  
MAX  
UNIT  
APT8075BN  
APT8090BN  
APT8075BN  
APT8090BN  
APT8075BN  
APT8090BN  
Drain-Source Breakdown Voltage  
BVDSS  
Volts  
(VGS = 0V, ID = 250 µA)  
2
On State Drain Current  
ID(ON)  
Amps  
Ohms  
µA  
(VDS > ID(ON) x RDS(ON) Max, VGS = 10V)  
12  
2
0.75  
0.90  
250  
1000  
±100  
4
Drain-Source On-State Resistance  
RDS(ON)  
(VGS = 10V, 0.5 ID [Cont.])  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 1.0mA)  
IGSS  
nA  
VGS(TH)  
2
Volts  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
MIN  
TYP  
MAX  
0.40  
40  
UNIT  
RθJC  
Junction to Case  
Junction to Ambient  
°C/W  
RθJA  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
USA  
405 S.W. Columbia Street  
EUROPE  
Bend, Oregon 97702-1035  
F-33700 Merignac - France  
Phone: (541) 382-8028  
Phone: (33) 5 57 92 15 15  
FAX: (541) 388-0364  
FAX: (33) 556 47 97 61  
Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord  
1234

中文翻译

下载PDF

与APT8075BNR-BUTT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT8075BNR-GULLWING ADPOW

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT8075BNR-GULLWING MICROSEMI

获取价格

 		13A, 800V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN
APT8075BVFR ADPOW

获取价格

 		Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8075BVFR_05 ADPOW

获取价格

 		Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8075BVFRG MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT8075BVR MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT8075BVR ADPOW

获取价格

 		Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8075BVRG MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT8075CN ADPOW

获取价格

 		Transistor
APT8075DN ADPOW

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

与APT8075BNR-BUTT相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证