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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | Single | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT8075EN | ADPOW |
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Transistor |
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| APT8075HN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | TO-258ISO |
|
| APT8075SN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-263AB |
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| APT-8076 | AGILENT |
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Wide Band High Power Amplifier, 4000MHz Min, 8000MHz Max, |
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| APT-8076R | AGILENT |
获取价格 |
4000MHz - 8000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
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| APT8090AN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 10.5A I(D) | TO-3 |
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| APT8090BN | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT8090BN-BUTT | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT8090BN-GULLWING | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT8090BN-GULLWING | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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