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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.14 | 特性阻抗： | 50 Ω |
| 构造： | MODULE | 最大输入功率 (CW)： | 20 dBm |
| 最大工作频率： | 8000 MHz | 最小工作频率： | 4000 MHz |
| 最高工作温度： | 50 °C | 最低工作温度： | |
| 射频/微波设备类型： | WIDE BAND MEDIUM POWER | 最大电压驻波比： | 2 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT8067HVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT806R5GN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-257AA |
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| APT806R5KN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AC |
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| APT8075 | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT8075AN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | TO-3 |
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| APT8075BN | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT8075BN-BUTT | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT8075BN-BUTT | MICROSEMI |
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13A, 800V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| APT8075BN-GULLWING | MICROSEMI |
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13 A, 800 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN |
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| APT8075BN-GULLWING | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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