是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.33 |
其他特性: | HIGH VOLTAGE | 雪崩能效等级(Eas): | 960 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 800 V | 最大漏极电流 (ID): | 12 A |
最大漏源导通电阻: | 0.75 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 48 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
APT8075BVR | MICROSEMI |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APT8075CN | ADPOW |
获取价格 |
Transistor | |
APT8075DN | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
APT8075EN | ADPOW |
获取价格 |
Transistor | |
APT8075HN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | TO-258ISO | |
APT8075SN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-263AB | |
APT-8076 | AGILENT |
获取价格 |
Wide Band High Power Amplifier, 4000MHz Min, 8000MHz Max, | |
APT-8076R | AGILENT |
获取价格 |
4000MHz - 8000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER | |
APT8090AN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 10.5A I(D) | TO-3 | |
APT8090BN | ADPOW |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | |
APT8090BN-BUTT | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |