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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APT8075BN-GULLWING
APT8075BN-GULLWING PDF预览

APT8075BN-GULLWING

更新时间： 2024-11-21 13:05:39
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 高压高电压电源
页数 文件大小 规格书
4页 54K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN

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APT8075BN-GULLWING 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.75 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：180 pFJESD-30 代码：R-PSFM-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：310 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：142 ns最大开启时间（吨）：63 ns
Base Number Matches：1

APT8075BN-GULLWING 数据手册

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D
S
TO-247  
G
APT8075BN 800V 13.0A 0.75Ω  
APT8090BN 800V 12.0A 0.90Ω  
POWER MOS IV®  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS  
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT  
APT  
Symbol Parameter  
8075BN  
8090BN  
UNIT  
VDSS  
800  
13  
800  
12  
Volts  
Drain-Source Voltage  
ID  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
1
IDM  
VGS  
56  
48  
Pulsed Drain Current  
Gate-Source Voltage  
±30  
310  
2.48  
Volts  
Watts  
W/°C  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
PD  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
-55 to 150  
300  
°C  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions / Part Number  
MIN  
800  
800  
13  
TYP  
MAX  
UNIT  
APT8075BN  
APT8090BN  
APT8075BN  
APT8090BN  
APT8075BN  
APT8090BN  
Drain-Source Breakdown Voltage  
BVDSS  
Volts  
(VGS = 0V, ID = 250 µA)  
2
On State Drain Current  
ID(ON)  
Amps  
Ohms  
µA  
(VDS > ID(ON) x RDS(ON) Max, VGS = 10V)  
12  
2
0.75  
0.90  
250  
1000  
±100  
4
Drain-Source On-State Resistance  
RDS(ON)  
(VGS = 10V, 0.5 ID [Cont.])  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 1.0mA)  
IGSS  
nA  
VGS(TH)  
2
Volts  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
MIN  
TYP  
MAX  
0.40  
40  
UNIT  
RθJC  
Junction to Case  
Junction to Ambient  
°C/W  
RθJA  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
USA  
405 S.W. Columbia Street  
EUROPE  
Bend, Oregon 97702-1035  
F-33700 Merignac - France  
Phone: (541) 382-8028  
Phone: (33) 5 57 92 15 15  
FAX: (541) 388-0364  
FAX: (33) 556 47 97 61  
Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord  
1234

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与APT8075BN-GULLWING相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT8075BNR ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-247AD
APT8075BNR-BUTT ADPOW

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 		Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT8075BNR-GULLWING ADPOW

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 		Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT8075BNR-GULLWING MICROSEMI

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 		13A, 800V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN
APT8075BVFR ADPOW

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 		Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8075BVFR_05 ADPOW

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 		Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
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 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT8075BVR MICROSEMI

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APT8075BVR ADPOW

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APT8075BVRG MICROSEMI

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