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APT45GF60BN

更新时间： 2024-09-30 20:33:39

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APT45GF60BN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	其他特性：	FAST SWITCHING
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	45 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	500 ns	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	200 W
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	100 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	85 ns
标称断开时间 (toff)：	55 ns	最大开启时间（吨）：	30 ns
标称接通时间 (ton)：	15 ns	VCEsat-Max：	3 V
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT45GF60BNU1	MICROSEMI	获取价格	45A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT45GL100BN	ADPOW	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
APT45GL100BN	MICROSEMI	获取价格	45A, 1000V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT45GP120B	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT45GP120B2D2	MICROSEMI	获取价格	54A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TMAX-3
APT45GP120B2DF2	ADPOW	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, B2, TMAX-3
APT45GP120B2DF2	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
APT45GP120B2DQ2	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT45GP120B2DQ2G	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT45GP120B2DQ2G	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules