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APT45GP120JDF2

更新时间： 2024-02-12 03:11:13

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		栅
页数	文件大小	规格书
9页	211K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES

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APT45GP120JDF2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.6	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	230 ns
标称接通时间 (ton)：	47 ns	Base Number Matches：	1

APT45GP120JDF2 数据手册

TYPICALPERFORMANCECURVES

APT45GP120JDF2

1200V

POWER MOS 7 IGBT

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.

Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,

highvoltageswitchingapplicationsandhasbeenoptimizedforhighfrequency

switchmode power supplies.

SOT-227

"UL Recognized"

ISOTOP^®

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• 50 kHz operation @ 800V, 16A

• 20 kHz operation @ 800V, 30A

• RBSOA rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUMRATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Parameter

UNIT

Symbol

V_CES

V_GE

APT45GP120JDF2

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

1200

±20

±30

Volts

V_GEM

I_C1

Gate-Emitter Voltage Transient

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Amps

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

I_CM

170

Pulsed Collector Current

@ T_C= 150°C

RBSOA

P_D

Reverse Bias Safe Operating Area @ T_J= 150°C

170A @ 960V

329

Watts

°C

Total Power Dissipation

T_J,T_STG

T_L

-55 to 150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATICELECTRICALCHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

1200

TYP

MAX

UNIT

BV_CES

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 750µA)

V_GE(TH)Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

4.5

3.3

3.0

Volts

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 45A, T_j= 25°C)

V_CE(ON)

3.9

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 45A, T_j= 125°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

750

3000

±100

I_CES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

I_GES

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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