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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.6 | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 329 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 230 ns | 标称接通时间 (ton)： | 47 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT45GP120JD2 | MICROSEMI |
获取价格 |
34A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, ISOTOP-4 |
|
| APT45GP120JDF2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES |
|
| APT45GP120JDF2 | ADPOW |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4 |
|
| APT45GP120JDQ2 | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
|
| APT45GP120JDQ2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
|
| APT45GR65B2DU30 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 118A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ROHS COM |
|
| APT45GR65BSCD10 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 92A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, |
|
| APT45GR65SSCD10 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| APT45M100J | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
| APT45M100J_09 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
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