Datasheet > APT45GL100BN

APT45GL100BN

更新时间： 2024-09-30 20:33:39

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT45GL100BN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	45 A	集电极-发射极最大电压：	1000 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	1000 ns
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	200 W	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	130 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	90 ns	标称断开时间 (toff)：	60 ns
最大开启时间（吨）：	40 ns	标称接通时间 (ton)：	20 ns
VCEsat-Max：	3 V	Base Number Matches：	1

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT45GP120B	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT45GP120B2D2	MICROSEMI	获取价格	54A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TMAX-3
APT45GP120B2DF2	ADPOW	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, B2, TMAX-3
APT45GP120B2DF2	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
APT45GP120B2DQ2	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT45GP120B2DQ2G	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT45GP120B2DQ2G	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
APT45GP120BG	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
APT45GP120J	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
APT45GP120J	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT