Datasheet > 晶体管 > IGBT> APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

更新时间： 2024-02-21 19:49:53

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		晶体晶体管功率控制双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	439K
描述
POWER MOS 7 IGBT

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APT45GP120B2DQ2G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.44	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	113 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	30 V	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	230 ns
标称接通时间 (ton)：	47 ns	Base Number Matches：	1

APT45GP120B2DQ2G 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

^APT1⁴⁵2^G0^P0¹V^20B2DQ2(G)

APT45GP120B2DQ2

APT45GP120B2DQ2G*

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

POWER MOS 7 IGBT

T-Max^TM

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch

Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching

applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies.

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• 100 kHz operation @ 800V, 16A

• 50 kHz operation @ 800V, 28A

• RBSOA Rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Parameter

Symbol

UNIT

APT45GP120B2DQ2(G)

V_CES

V_GE

I_C1

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

1200

Volts

±30

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

113

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

I_C2

Amps

Pulsed Collector Current

@ T_C= 150°C

I_CM

170

Reverse Biad Safe Operating Area @ T_J= 150°C

170A @ 960V

625

RBSOA

P_D

Total Power Dissipation

Watts

°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_J,T_STG

-55 to 150

300

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

Units

V_(BR)CES

V_GE(TH)

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 750µA)

Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 45A, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 45A, T_j= 125°C)

1200

4.5

3.3

3.0

Volts

3.9

V_CE(ON)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

750

I_CES

I_GES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

3000

±100

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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APT45GP120J	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
APT45GP120J	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT45GP120JD2	MICROSEMI	获取价格	34A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, ISOTOP-4
APT45GP120JDF2	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES
APT45GP120JDF2	ADPOW	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4
APT45GP120JDQ2	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT45GP120JDQ2	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
APT45GR65B2DU30	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 118A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ROHS COM
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