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APT45GP120B2DF2

更新时间： 2024-01-06 05:13:31

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美高森美 - MICROSEMI		栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	201K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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APT45GP120B2DF2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	100 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	625 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

APT45GP120B2DF2 数据手册

APT45GP12^A0^PTB^45G2^P1D^20BF^2D2^F2

TYPICALPERFORMANCECURVES

1200V

POWER MOS 7 IGBT

T-Max^TM

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.

Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,

high voltage switching applications and has been optimized for high frequency

switchmode power supplies.

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• 100 kHz operation @ 800V, 16A

• 50 kHz operation @ 800V, 28A

• RBSOA rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUMRATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Parameter

UNIT

Symbol

V_CES

V_GE

APT45GP120B2DF2

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

1200

±20

±30

Volts

V_GEM

I_C1

Gate-Emitter Voltage Transient

Continuous Collector Current ⁷@ T_C= 25°C

100

Amps

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

I_CM

170

Pulsed Collector Current

@ T_C= 150°C

RBSOA

P_D

Reverse Bias Safe Operating Area @ T_J= 150°C

170A @ 960V

625

Watts

°C

Total Power Dissipation

T_J,T_STG

T_L

-55 to 150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATICELECTRICALCHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

1200

TYP

MAX

UNIT

BV_CES

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 750µA)

V_GE(TH)Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

4.5

3.3

3.0

Volts

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 45A, T_j= 25°C)

V_CE(ON)

3.9

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 45A, T_j= 125°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

750

3000

±100

I_CES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

I_GES

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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APT45GP120B2DQ2G	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
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