5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 45 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 200 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT45GL100BN | ADPOW |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
|
| APT45GL100BN | MICROSEMI |
获取价格 |
45A, 1000V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
|
| APT45GP120B | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
|
| APT45GP120B2D2 | MICROSEMI |
获取价格 |
54A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TMAX-3 |
|
| APT45GP120B2DF2 | ADPOW |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, B2, TMAX-3 |
|
| APT45GP120B2DF2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
|
| APT45GP120B2DQ2 | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
|
| APT45GP120B2DQ2G | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
|
| APT45GP120B2DQ2G | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
|
| APT45GP120BG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
|
解析30211801数据手册：PCB端子排MKDSV 5/3-9.5
UL248-14数据手册深度解读：微型保险丝的全面剖析
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
