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APT45GP120B

更新时间： 2024-09-30 04:06:39

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ADPOW		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
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POWER MOS 7 IGBT

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APT45GP120B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.87	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	100 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	230 ns
标称接通时间 (ton)：	47 ns

APT45GP120B 数据手册

APT45GP120B

1200V

POWER MOS 7 IGBT

TO-247

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.

Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,

high voltage switching applications and has been optimized for high frequency

switchmode power supplies.

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• 100 kHz operation @ 800V, 16A

• 50 kHz operation @ 800V, 28A

• RBSOA rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUMRATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Parameter

UNIT

Symbol

V_CES

V_GE

APT45GP120B

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

1200

±20

±30

Volts

V_GEM

I_C1

Gate-Emitter Voltage Transient

Continuous Collector Current ⁷@ T_C= 25°C

100

Amps

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

I_CM

170

Pulsed Collector Current

@ T_C= 25°C

RBSOA

P_D

Reverse Bias Safe Operating Area @ T_J= 150°C

170A @ 960V

625

Watts

°C

Total Power Dissipation

T_J,T_STG

T_L

-55 to 150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATICELECTRICALCHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

1200

TYP

MAX

UNIT

BV_CES

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 500µA)

V_GE(TH)Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

4.5

3.3

3.0

Volts

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 45A, T_j= 25°C)

V_CE(ON)

3.9

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 45A, T_j= 125°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

500

2500

±100

I_CES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

I_GES

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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APT45GP120B2DF2	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
APT45GP120B2DQ2	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT45GP120B2DQ2G	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT45GP120B2DQ2G	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
APT45GP120BG	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
APT45GP120J	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
APT45GP120J	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
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