5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > APT30GP60JDQ1G
APT30GP60JDQ1G PDF预览

APT30GP60JDQ1G

更新时间： 2024-11-29 21:12:03
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 栅
页数 文件大小 规格书
9页 448K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 67A I(C), 600V V(BR)CES

阅读下载

中文翻译

获取价格

APT30GP60JDQ1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：ISOTOP包装说明：,
针数：4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.57最大集电极电流 (IC)：67 A
集电极-发射极最大电压：600 V门极-发射极最大电压：20 V
元件数量：1最高工作温度：150 °C
最大功率耗散 (Abs)：245 W子类别：Insulated Gate BIP Transistors
Base Number Matches：1

APT30GP60JDQ1G 数据手册

 浏览型号APT30GP60JDQ1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT30GP60JDQ1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APT30GP60JDQ1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号APT30GP60JDQ1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号APT30GP60JDQ1G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号APT30GP60JDQ1G的Datasheet PDF文件第7页 
600V  
APT30GP60JDQ1  
APT30GP60JDQ1G*  
®
*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.  
E
E
®
POWER MOS 7 IGBT  
7
2
C
-2  
G
T
The POWER MOS 7® IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch  
Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching  
applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies.  
O
S
"UL Recognized"  
ISOTOP®  
• Low Conduction Loss  
• Low Gate Charge  
• 100 kHz operation @ 400V, 23A  
• 200 kHz operation @ 400V, 15A  
• SSOA Rated  
C
• Ultrafast Tail Current shutoff  
G
E
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
Parameter  
Symbol  
UNIT  
APT30GP60JDQ1(G)  
VCES  
VGE  
IC1  
Collector-Emitter Voltage  
600  
Volts  
Gate-Emitter Voltage  
±20  
67  
Continuous Collector Current @ TC = 25°C  
IC2  
Continuous Collector Current @ TC = 110°C  
31  
Amps  
1
Pulsed Collector Current  
@ TC = 150°C  
ICM  
120  
Switching Safe Operating Area @ TJ = 150°C  
120A @ 600V  
245  
SSOA  
PD  
Total Power Dissipation  
Watts  
°C  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to 150  
300  
TL  
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
Units  
V(BR)CES  
VGE(TH)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VGE = 0V, IC = 500µA)  
Gate Threshold Voltage (VCE = VGE, IC = 1mA, Tj = 25°C)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 30A, Tj = 25°C)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 30A, Tj = 125°C)  
600  
3
4.5  
2.2  
2.1  
6
Volts  
2.7  
VCE(ON)  
2
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 25°C)  
500  
ICES  
IGES  
µA  
nA  
2
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 125°C)  
3000  
±100  
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = ±20V)  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与APT30GP60JDQ1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT30GP60LDL MICROSEMI

获取价格

 		Resonant Mode Combi IGBT
APT30GP60LDLG MICROSEMI

获取价格

 		Resonant Mode Combi IGBT
APT30GS60BRDL MICROSEMI

获取价格

 		Resonant Mode Combi IGBT
APT30GS60BRDLG MICROSEMI

获取价格

 		Resonant Mode Combi IGBT
APT30GS60BRDQ2 MICROSEMI

获取价格

 		Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode
APT30GS60BRDQ2G MICROSEMI

获取价格

 		Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode
APT30GS60KR MICROSEMI

获取价格

 		Thunderbolt High Speed NPT IGBT
APT30GS60KRG MICROSEMI

获取价格

 		Thunderbolt High Speed NPT IGBT
APT30GS60SRDQ2 MICROSEMI

获取价格

 		Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode
APT30GS60SRDQ2G MICROSEMI

获取价格

 		Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode

与APT30GP60JDQ1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证