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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.59 | 最大集电极电流 (IC)： | 64 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 345 ns | 标称接通时间 (ton)： | 32 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT30M17JFLL | ADPOW |
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POWER MOS 7 FREDFET |
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| APT30M17JLL | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT30M17JLL_04 | ADPOW |
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POWER MOS 7 R MOSFET |
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| APT30M19JVFR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs |
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| APT30M19JVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT30M30B2FLL | ADPOW |
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POWER MOS 7 FREDFET |
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| APT30M30B2FLLG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 300V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| APT30M30B2LL | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT30M30B2LL_04 | ADPOW |
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POWER MOS 7 R MOSFET |
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| APT30M30B2LLG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 300V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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