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APT30GS60KR

更新时间： 2024-11-29 06:37:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
7页 587K
描述
Thunderbolt High Speed NPT IGBT

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APT30GS60KR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：54 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE门极发射器阈值电压最大值：5 V
门极-发射极最大电压：30 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：250 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：412 ns标称接通时间 (ton)：45 ns
Base Number Matches：1

APT30GS60KR 数据手册

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APT30GS60KR(G)  
600V, 30A, V  
= 2.8V Typical  
CE(ON)  
Thunderbolt® High Speed NPT IGBT  
The Thunderbolt HS™ series is based on thin wafer non-punch through (NPT) technology similar to  
the Thunderbolt® series, but trades higher VCE(ON) for significantly lower turn-on energy Eoff. The low  
switching losses enable operation at switching frequencies over 100kHz, approaching power MOSFET  
performance but lower cost.  
An extremely tight parameter distribution combined with a positive VCE(ON) temperature coefficient  
make it easy to parallel Thunderbolts HS™ IGBT's. Controlled slew rates result in very good noise  
and oscillation immunity and low EMI. The short circuit duration rating of 10µs make these IGBT's  
suitable for motor drive and inverter applications. Reliability is further enhanced by avalanche energy  
ruggedness.  
APT30GS60KR(G)  
Features  
Typical Applications  
• Fast Switching with low EMI  
• Very Low EOFF for Maximum Efficiency  
• ZVS Phase Shifted and other Full Bridge  
• Half Bridge  
• Short circuit rated  
• Low Gate Charge  
• High Power PFC Boost  
• Welding  
C
E
• Tight parameter distribution  
• Easy paralleling  
• Induction heating  
• High Frequency SMPS  
G
• RoHS Compliant  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Parameter  
Rating  
Unit  
A
Continuous Collector Current T = @ 25°C  
IC1  
IC2  
54  
30  
C
Continuous Collector Current T = @ 100°C  
C
1
ICM  
VGE  
Pulsed Collector Current  
113  
±30V  
113  
165  
10  
Gate-Emitter Voltage  
V
SSOA  
EAS  
Switching Safe Operating Area  
2
Single Pulse Avalanche Energy  
mJ  
µs  
3
tSC  
Short Circut Withstand Time  
Thermal and Mechanical Characteristics  
Symbol Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
PD  
RθJC  
Total Power Dissipation T = @ 25°C  
C
-
-
250  
0.50  
-
W
Junction to Case Thermal Resistance  
-
-
°C/W  
°C  
RθCS  
TJ, TSTG  
TL  
Case to Sink Thermal Resistance, Flat Greased Surface  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-
0.11  
-55  
-
150  
300  
-
Soldering Temperature for 10 Seconds (1.6mm from case)  
Package Weight  
-
-
-
-
-
-
0.22  
5.9  
-
oz  
g
WT  
-
10  
1.1  
in·lbf  
N·m  
Torque Mounting Torque, 6-32 M3 Screw  
-
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should be Followed.  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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