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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.91 | 其他特性： | ULTRA FAST SWITCHING |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 55 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 95 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 260 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 40 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 340 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 45 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT30GT60BRDL | MICROSEMI |
获取价格 |
Resonant Mode Combi IGBT |
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| APT30GT60BRDLG | MICROSEMI |
获取价格 |
Resonant Mode Combi IGBT |
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| APT30GT60BRDQ2 | ADPOW |
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Thunderbolt IGBT |
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| APT30GT60BRDQ2G | ADPOW |
获取价格 |
Thunderbolt IGBT |
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| APT30GT60BRDQ2G | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
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| APT30GT60BRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
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| APT30GT60BRG | ADPOW |
获取价格 |
The Thunderbolt IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
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| APT30GT60CR | ADPOW |
获取价格 |
The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of |
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| APT30GT60KR | ADPOW |
获取价格 |
The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of |
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| APT30GT60KRG | ADPOW |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMP |
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