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APT30GP60LDLG

更新时间： 2024-11-27 06:37:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
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9页 214K
描述
Resonant Mode Combi IGBT

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APT30GP60LDLG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-264AA
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.11
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-264AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：463 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：164 ns
标称接通时间 (ton)：31 nsBase Number Matches：1

APT30GP60LDLG 数据手册

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APT30GP60B2DL(G)  
APT30GP60LDL(G)  
600V, 30A, V  
= 2.2V Typical  
CE(ON)  
Resonant Mode Combi IGBT®  
The POWER MOS 7® IGBT used in this resonant mode combi is a new generation of high  
voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high  
frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency  
switchmode power supplies.  
G
C
E
Features  
Typical Applications  
G
C
E
•
•
•
•
•
Low Conduction Loss  
•
•
•
•
•
Induction Heating  
Welding  
•
•
SSOA Rated  
Low Gate Charge  
RoHS Compliant  
C
E
Ultrafast Tail Current shutoff  
Low forward Diode Voltage (VF)  
Ultrasoft Recovery Diode  
Medical  
G
High Power Telecom  
Resonant Mode Phase Shifted  
Bridge  
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
Parameter  
UNIT  
Symbol  
Ratings  
Collector-Emitter Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
600  
VCES  
Volts  
±20  
VGE  
±30  
100  
Gate-Emitter Voltage Transient  
VGEM  
IC1  
IC2  
ICM  
Continuous Collector Current @ TC = 25°C  
Amps  
49  
Continuous Collector Current @ TC = 110°C  
1
120  
Pulsed Collector Current  
@ TC = 25°C  
SSOA  
PD  
Switching Safe Operating Area @ TJ = 150°C  
Total Power Dissipation  
120A @ 600V  
Watts  
463  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.  
-55 to 150  
TJ,TSTG  
TL  
°C  
300  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
600  
3
TYP  
MAX  
UNIT  
BVCES  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VGE = 0V, IC = 1.0mA)  
VGE(TH)  
4.5  
2.2  
2.1  
6
Gate Threshold Voltage (VCE = VGE, IC = 1mA, Tj = 25°C)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 30A, Tj = 25°C)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 30A, Tj = 125°C)  
Volts  
2.7  
VCE(ON)  
2
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 25°C)  
275  
2750  
±100  
ICES  
IGES  
μA  
2
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 125°C)  
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = ±20V)  
nA  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
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