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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APT11026JFLL
APT11026JFLL PDF预览

APT11026JFLL

更新时间： 2024-01-15 02:04:55
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
POWER MOS 7 FREDFET

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APT11026JFLL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：ISOTOP
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.76
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：3600 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：1100 V最大漏极电流 (ID)：33 A
最大漏源导通电阻：0.26 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X4JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：134 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT11026JFLL 数据手册

 浏览型号APT11026JFLL的Datasheet PDF文件第1页 
APT11026JFLL  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic  
Test Conditions  
GS = 0V  
MIN  
MIN  
MIN  
TYP  
10640  
1605  
302  
389  
53  
MAX  
UNIT  
Ciss  
Coss  
Crss  
Qg  
Input Capacitance  
V
Output Capacitance  
pF  
VDS = 25V  
f = 1 MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
3
VGS = 10V  
VDD = 0.5 VDSS  
Total Gate Charge  
Qgs  
Qgd  
td(on)  
tr  
nC  
ns  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain ("Miller") Charge  
Turn-on Delay Time  
Rise Time  
ID = ID [Cont.] @ 25°C  
246  
21  
VGS = 15V  
VDD = 0.5 VDSS  
13  
ID = ID [Cont.] @ 25°C  
td(off)  
tf  
Turn-off Delay Time  
Fall Time  
63  
RG = 0.6Ω  
20  
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
TYP  
MAX  
33  
UNIT  
Continuous Source Current (Body Diode)  
IS  
Amps  
1
ISM  
VSD  
Pulsed Source Current (Body Diode)  
134  
1.3  
18  
2
Diode Forward Voltage  
Peak Diode Recovery dv  
Reverse Recovery Time  
(VGS = 0V, IS = -ID [Cont.])  
Volts  
V/ns  
5
dv  
/
/
dt  
dt  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
310  
625  
ns  
µC  
trr  
(IS = -ID [Cont.], di  
Reverse Recovery Charge  
(IS = -ID [Cont.], di  
dt = 100A/µs)  
Peak Recovery Current  
(IS = -ID [Cont.], di  
dt = 100A/µs)  
/dt = 100A/µs)  
2.0  
6.0  
15  
Qrr  
/
IRRM  
Amps  
/
26  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic  
TYP  
MAX  
0.18  
40  
UNIT  
Junction to Case  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction to Ambient  
1
2
3
4
5
Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction  
temperature.  
See MIL-STD-750 Method 3471  
Starting T = +25°C, L = 6.61mH, R = 25Ω, Peak I = 33A  
j
G
L
dv  
Pulse Test: Pulse width < 380 µs, Duty Cycle < 2%  
/
numbers reflect the limitations of the test circuit rather than the  
di  
dt  
device itself.  
I
≤ -I  
/
≤ 700A/µs  
VR ≤ V  
T ≤ 150°C  
J
dt  
S
D Cont.  
[
DSS  
]
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.  
SOT-227 (ISOTOP®) Package Outline  
11.8 (.463)  
12.2 (.480)  
31.5 (1.240)  
31.7 (1.248)  
8.9 (.350)  
9.6 (.378)  
W=4.1 (.161)  
W=4.3 (.169)  
H=4.8 (.187)  
H=4.9 (.193)  
(4 places)  
7.8 (.307)  
8.2 (.322)  
Hex Nut M4  
(4 places)  
25.2 (0.992)  
25.4 (1.000)  
r = 4.0 (.157)  
(2 places)  
4.0 (.157)  
4.2 (.165)  
(2 places)  
0.75 (.030) 12.6 (.496)  
0.85 (.033) 12.8 (.504)  
3.3 (.129)  
3.6 (.143)  
1.95 (.077)  
2.14 (.084)  
14.9 (.587)  
15.1 (.594)  
* Source  
Drain  
30.1 (1.185)  
30.3 (1.193)  
* Source terminals are shorted  
internally. Current handling  
capability is equal for either  
Source terminal.  
38.0 (1.496)  
38.2 (1.504)  
* Source  
Dimensions in Millimeters and (Inches)  
Gate  
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents: 4,895,810  
5,256,583  
5,045,903  
4,748,103  
5,089,434  
5,283,202  
5,182,234  
5,231,474  
5,019,522  
5,434,095  
5,262,336  
5,528,058  
12

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