是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | R-PSFM-T2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.23 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT, PD-CASE |
应用: | GENERAL PURPOSE | 外壳连接: | CATHODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON CARBIDE |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.8 V |
JEDEC-95代码: | TO-220AC | JESD-30 代码: | R-PSFM-T2 |
最大非重复峰值正向电流: | 110 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 17 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
最大功率耗散: | 63 W | 最大重复峰值反向电压: | 650 V |
最大反向电流: | 200 µA | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
APT10SCD65KCT | MICROSEMI | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 17A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AB |
获取价格 |
|
APT10SCE120B | MICROSEMI | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 43A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
获取价格 |
|
APT10SCE170B | MICROSEMI | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 23A, 1700V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
获取价格 |
|
APT10SCE170D | MICROSEMI | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1700V V(RRM), Silicon Carbide, DIE-1 |
获取价格 |
|
AP-T11 | GRAYHILL | Sealed against contamination when properly mounted |
获取价格 |
|
APT1101R2BFLL | ADPOW | POWER MOS 7 FREDFET |
获取价格 |