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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | 其他特性： | HIGH VOLTAGE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 65 A | 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 260 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT10M30BNFR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-247AD |
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| APT10M30BNFR-GULLWING | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| APT10M30BNR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-247AD |
|
| APT10M30BNR-BUTT | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| APT10M30BNR-BUTT | MICROSEMI |
获取价格 |
67A, 100V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
|
| APT10M30BNR-GULLWING | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| APT10SC120B | ADPOW |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| APT10SC120K | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM) |
|
| APT10SC120KCT | MICROSEMI |
获取价格 |
10A, 1200V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
|
| APT10SC120S | ADPOW |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
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