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APT10M30BNFR-GULLWING PDF预览

APT10M30BNFR-GULLWING

更新时间： 2024-09-30 13:00:55
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
页数 文件大小 规格书
4页 70K
描述
Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN

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APT10M30BNFR-GULLWING 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.63雪崩能效等级（Eas）：1500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：67 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：650 pFJESD-30 代码：R-PSFM-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：360 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：268 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：230 ns
最大开启时间（吨）：140 nsBase Number Matches：1

APT10M30BNFR-GULLWING 数据手册

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APT10M30AVR  
100V 65A 0.030Ω  
POWER MOS V®  
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement  
mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,  
increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®  
also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.  
D
S
• Faster Switching  
• Lower Leakage  
• 100% Avalanche Tested  
• Popular TO-3 Package  
G
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT10M30AVR  
UNIT  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
100  
65  
Volts  
5
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
Volts  
1
5
IDM  
Pulsed Drain Current  
260  
VGS  
VGSM  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
±30  
±40  
Watts  
235  
PD  
1.88  
-55 to 150  
300  
W/°C  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
°C  
Amps  
mJ  
1
5
IAR  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
65  
1
EAR  
EAS  
30  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
4
1500  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
BVDSS  
ID(on)  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
Volts  
100  
65  
2
5
On State Drain Current  
(VDS > ID(on) x RDS(on) Max, VGS = 10V)  
Amps  
2
RDS(on)  
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, 0.5 ID[Cont.])  
Ohms  
0.030  
250  
1000  
±100  
4
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
IDSS  
µA  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 1.0mA)  
IGSS  
nA  
VGS(th)  
Volts  
2
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
USA  
405 S.W. Columbia Street  
EUROPE  
Bend, Oregon 97702-1035  
F-33700 Merignac - France  
Phone: (541) 382-8028  
Phone: (33) 5 57 92 15 15  
FAX: (541) 388-0364  
FAX: (33) 5 56 47 97 61  
Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord  
1234

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与APT10M30BNFR-GULLWING相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT10M30BNR ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-247AD
APT10M30BNR-BUTT ADPOW

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 		Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT10M30BNR-BUTT MICROSEMI

获取价格

 		67A, 100V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT10M30BNR-GULLWING ADPOW

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT10SC120B ADPOW

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 		Rectifier Diode,
APT10SC120K MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM)
APT10SC120KCT MICROSEMI

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 		10A, 1200V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
APT10SC120S ADPOW

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 		Rectifier Diode,
APT10SC60BHB MICROSEMI

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 		Rectifier Diode
APT10SC60G MICROSEMI

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 		Rectifier Diode

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