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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 67 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 600 pF | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 360 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 268 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 230 ns | 最大开启时间（吨）： | 140 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT10M30BNR-GULLWING | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT10SC120B | ADPOW |
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Rectifier Diode, |
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| APT10SC120K | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM) |
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| APT10SC120KCT | MICROSEMI |
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10A, 1200V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| APT10SC120S | ADPOW |
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Rectifier Diode, |
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| APT10SC60BHB | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode |
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| APT10SC60G | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode |
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| APT10SC60G | ADPOW |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 9A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-257AA, |
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| APT10SC60K | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode |
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| APT10SC60KCT | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode |
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