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APT10SCD120BCT

更新时间： 2024-01-27 05:53:22
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 115K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 18A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,

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APT10SCD120BCT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.8其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT, PD-CASE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON CARBIDE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.8 V
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：110 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：18 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大功率耗散：125 W最大重复峰值反向电压：1200 V
最大反向电流：200 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

APT10SCD120BCT 数据手册

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APT10SCD120BCT  
1200V 10A  
Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode  
(BCT)  
PRODUCT APPLICATIONS  
PRODUCT BENEFITS  
PRODUCT FEATURES  
• Higher Reliability Systems  
• Zero Recovery Times (t  
)
• Anti-Parallel Diode  
-Switchmode Power Supply  
-Inverters  
rr  
• Minimizes or eliminates  
snubber  
• Popular TO-247 Package  
• Low Forward Voltage  
• Low Leakage Current  
1
2
3
• Power Factor Correction (PFC)  
1
3
2
1 - Anode 1  
2 - Common Cathode  
Back of Case -Cathode  
3 - Anode 2  
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings per Leg: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
Symbol Characteristic / Test Conditions  
Ratings  
Unit  
Maximum D.C. Reverse Voltage  
VR  
VRRM  
VRWM  
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage  
Maximum Working Peak Reverse Voltage  
1200  
Volts  
TC = 25°C  
36  
10  
IF  
Maximum D.C. Forward Current  
TC = 135°C  
Amps  
IFRM  
IFSM  
50  
Repetitive Peak Forward Suge Current (TJ = 45°C, tp = 10ms, Half Sine Wave)  
Non-Repetitive Forward Surge Current (TJ = 25°C, tp = 10ms, Half Sine)  
110  
TC = 25°C  
125  
45  
Ptot  
Power Dissipation  
TC = 110°C  
W
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature for 10 Seconds  
-55 to 150  
300  
°C  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
IF = 10A TJ = 25°C  
1.5  
2.1  
1.8  
VF  
Forward Voltage  
Volts  
IF = 10A, TJ = 150°C  
VR = 1200V TJ = 25°C  
VR = 1200V, TJ = 150°C  
200  
IRM  
Qc  
Maximum Reverse Leakage Current  
μA  
1000  
Total Capactive Charge VR = 800V, IF = 10A, di/dt = -100A/μs, TJ = 25°C  
Junction Capacitance VR = 0V, TJ = 25°C, f = 1MHz  
30  
600  
71  
nC  
CT  
Junction Capacitance VR = 200V, TJ = 25°C, f = 1MHz  
Junction Capacitance VR = 400V, TJ = 25°C, f = 1MHz  
pF  
52  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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