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APT10045B2LLG

更新时间： 2024-01-05 16:25:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 1954K
描述
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1000V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, TMAX-3

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APT10045B2LLG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.09
雪崩能效等级（Eas）：2500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：23 A最大漏极电流 (ID)：23 A
最大漏源导通电阻：0.45 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：565 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：92 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT10045B2LLG 数据手册

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APT10045B2LL(G)  
APT10045LLL(G)  
*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.  
1000V 23A 0.450Ω  
R
B2LL  
POWER MOS 7 MOSFET  
Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel  
enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching  
losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON)  
and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses  
along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's  
patented metal gate structure.  
T-MAX™  
TO-264  
LLL  
D
S
• Lower Input Capacitance  
• Lower Miller Capacitance  
• Lower Gate Charge, Qg  
• Increased Power Dissipation  
• Easier To Drive  
G
• Popular T-MAX™ or TO-264 Package  
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT10045(G)  
UNIT  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
1000  
23  
Volts  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
Volts  
1
IDM  
Pulsed Drain Current  
92  
VGS  
VGSM  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
±30  
±40  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
565  
Watts  
W/°C  
PD  
4.52  
-55 to 150  
300  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
°C  
Amps  
mJ  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
1
IAR  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
23  
1
EAR  
EAS  
50  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
4
2500  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
1000  
23  
TYP  
MAX  
UNIT  
BVDSS  
ID(on)  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
Volts  
2
On State Drain Current  
(VDS > ID(on) x RDS(on) Max, VGS = 10V)  
Amps  
2
RDS(on)  
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, 11.5A)  
Ohms  
µA  
0.450  
100  
500  
±100  
5
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 1000V, VGS = 0V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 800V, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 2.5mA)  
IDSS  
IGSS  
nA  
VGS(th)  
Volts  
3
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
12345

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APT10045B2LLG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
APT10045B2FLLG MICROSEMI

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1000V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT10035B2FLLG MICROSEMI

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1000V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与APT10045B2LLG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT10045JFLL ADPOW

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 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT10045JFLL_03 ADPOW

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 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT10045JLL ADPOW

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 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT10045JLL_03 ADPOW

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 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT10045LFLL ADPOW

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 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT10045LFLLG MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1000V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT10045LLL ADPOW

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 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT1004R2AN ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-3
APT1004R2BN ADPOW

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT1004R2BN-BUTT ADPOW

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 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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