5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > APT10035B2FLLG
APT10035B2FLLG PDF预览

APT10035B2FLLG

更新时间： 2024-11-21 19:17:11
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 181K
描述
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1000V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TMAX-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

APT10035B2FLLG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.12雪崩能效等级（Eas）：3000 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：1000 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：28 A
最大漏极电流 (ID)：28 A最大漏源导通电阻：0.35 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：690 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：112 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APT10035B2FLLG 数据手册

 浏览型号APT10035B2FLLG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT10035B2FLLG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APT10035B2FLLG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号APT10035B2FLLG的Datasheet PDF文件第5页 
APT10035B2FLL(G)  
APT10035LFLL(G)  
1000V 28A 0.37 Ω  
R
B2FLL  
POWER MOS 7 FREDFET  
Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel  
enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching  
losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON)  
and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses  
along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's  
patented metal gate structure.  
T-MAX™  
TO-264  
LFLL  
• Lower Input Capacitance  
• Lower Miller Capacitance  
• Lower Gate Charge, Qg  
• Increased Power Dissipation  
• Easier To Drive  
D
S
G
• Popular T-MAX™ or TO-264 Package  
•
FAST RECOVERY BODY DIODE  
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT10035  
1000  
28  
UNIT  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Volts  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
Volts  
1
IDM  
Pulsed Drain Current  
112  
VGS  
VGSM  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
±30  
±40  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
690  
Watts  
W/°C  
PD  
5.5  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to 150  
300  
°C  
Amps  
mJ  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
1
IAR  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
28  
1
EAR  
EAS  
50  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
4
3000  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
1000  
28  
TYP  
MAX  
UNIT  
BVDSS  
ID(on)  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
Volts  
2
On State Drain Current  
(VDS > ID(on) x RDS(on) Max, VGS = 10V)  
Amps  
2
RDS(on)  
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, 14A)  
Ohms  
µA  
0.37  
250  
1000  
±100  
5
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 1000V, VGS = 0V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 800V, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 2.5mA)  
IDSS  
IGSS  
nA  
VGS(th)  
Volts  
3
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
12345

中文翻译

下载PDF

APT10035B2FLLG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
APT10045B2FLLG MICROSEMI

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1000V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT10045B2LLG MICROSEMI

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1000V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与APT10035B2FLLG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT10035B2LL ADPOW

获取价格

 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT10035B2LL_03 ADPOW

获取价格

 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT10035JFLL ADPOW

获取价格

 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT10035JFLL_03 ADPOW

获取价格

 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT10035JLL ADPOW

获取价格

 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT10035JLL_03 ADPOW

获取价格

 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT10035LFLL ADPOW

获取价格

 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT10035LFLL MICROSEMI

获取价格

 		Power MOS 7is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel
APT10035LFLLG MICROSEMI

获取价格

 		Power MOS 7is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel
APT10035LLL ADPOW

获取价格

 		Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po

与APT10035B2FLLG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证