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AOD476

更新时间： 2024-01-15 18:56:31

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	517K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AOD476 数据手册

AOD476

N-Channel Enhancement Mode Field

Effect Transistor

General Description

designꢀtoꢀprovideꢀexcellentꢀR_DS(ON)ꢀwithꢀlowꢀgate

TheꢀAOD476ꢀusesꢀadvancedꢀtrenchꢀtechnologyꢀand

charge.ꢀThisꢀdeviceꢀisꢀsuitableꢀforꢀuseꢀinꢀPWM,ꢀload switchingꢀandꢀgeneralꢀpurposeꢀapplications.

Features

V_DSꢀ(V)ꢀ=ꢀ20V

I_Dꢀ=ꢀ25Aꢀ(VGSꢀ=ꢀ10V)

R_DS(ON)ꢀ<21ꢀmΩꢀ(V_GSꢀ=ꢀ10V)

_DS(ON)ꢀ<28ꢀmΩꢀ(VGSꢀ=ꢀ4.5V)

R_DS(ON)ꢀ<79ꢀmΩꢀ(V_GSꢀ=ꢀ2.5V)

ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

DrainꢁSourceꢀVoltage

V_DS

GateꢁSourceꢀVoltage

V_GS

±16

T_C=25°Cꢀ^G

T_C=100°C

ContinuousꢀDrain

Current

I_D

PulsedꢀDrainꢀCurrentꢀ^C

AvalancheꢀCurrentꢀ^C

RepetitiveꢀavalancheꢀenergyꢀL=0.3mHꢀ^C

I_DM

I_AR

E_AR

T_C=25°C

PowerꢀDissipationꢀ^B

T_C=100°C

33.3

16.7

2.5

P_D

T_A=25°C

P_DSM

PowerꢀDissipationꢀ^A

1.6

T_A=70°C

JunctionꢀandꢀStorageꢀTemperatureꢀRange T_J,ꢀT_STG

ꢁ55ꢀtoꢀ175

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

MaximumꢀJunctionꢁtoꢁAmbientꢀ^A

tꢀꢀ≤ꢀ10s

R_θJA

MaximumꢀJunctionꢁtoꢁAmbientꢀ^A

SteadyꢁState

MaximumꢀJunctionꢁtoꢁCaseꢀ^B

SteadyꢁState

R_θJC

3.6

4.5

1/6

www.freescale.net.cn

12 3 4 5 6

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