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AOD496

更新时间： 2024-09-13 03:18:55

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美国万代 - AOS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	119K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AOD496 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	62 A
最大漏源导通电阻：	0.016 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AOD496 数据手册

AOD496

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

The AOD496 uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON), low gate charge.This device

is suitable for use as a high side switch in SMPS and

general purpose applications. Standard Product

AOD496 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259

specifications). AOD496L is a Green Product ordering

option. AOD496 and AOD496L are electrically

identical.

V_DS(V) = 30V

I_D= 62A (V_GS= 10V)

_DS(ON)< 9.5mΩ (V_GS= 10V)

_DS(ON)< 16mΩ (V_GS= 4.5V)

TO-252

D-PAK

Top View

Drain Connected to

Tab

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

V_GS

Gate-Source Voltage

Continuous Drain

Current ^B

±20

T_C=25°C

T_C=100°C

I_D

I_DM

I_AR

E_AR

Pulsed Drain Current

Avalanche Current ^C

120

Repetitive avalanche energy L=0.3mH ^C

135

62.5

T_C=25°C

P_D

Power Dissipation ^B

T_C=100°C

T_A=25°C

2.5

P_DSM

Power Dissipation ^A

T_A=70°C

1.6

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to 175

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Case ^C

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

t ≤ 10s

R_θJA

Steady-State

R_θJC

2.4

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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