Datasheet > AOD482

AOD482

更新时间： 2024-02-22 06:27:12

品牌	Logo	应用领域
美国万代 - AOS		/
页数	文件大小	规格书
6页	305K
描述
100V N-Channel MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AOD482 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.53
Samacsys Description：	Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK	雪崩能效等级（Eas）：	61 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	32 A	最大漏极电流 (ID)：	32 A
最大漏源导通电阻：	0.042 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	70 pF	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	70 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AOD482 数据手册

AOD482/AOI482

100V N-Channel MOSFET

General Description

Product Summary

V_DS

100V

The AOD482/AOI482 combines advanced trench

MOSFET technology with a low resistance package to

provide extremely low R_DS(ON). This device is ideal for

boost converters and synchronous rectifiers for

consumer, telecom, industrial power supplies and LED

backlighting.

I_D(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS= 4.5V)

32A

< 37mΩ

< 42mΩ

100% UIS Tested

100% R_gTested

TO252

DPAK

TO-251A

IPAK

Top View

Bottom View

TopView

Bottom View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

100

±20

V_GS

T_C=25°C

Continuous Drain

Current

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current ^C

I_DM

T_A=25°C

T_A=70°C

Continuous Drain

Current

I_DSM

Avalanche Current ^C

I_AS, I_AR

Avalanche energy L=0.1mH ^C

E_AS, E_AR

T_C=25°C

Power Dissipation ^B

T_C=100°C

100

P_D

T_A=25°C

2.5

P_DSM

°C

Power Dissipation ^A

1.6

T_A=70°C

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 175

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

14.2

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}

Maximum Junction-to-Case

≤ 10s

R_θJA

Steady-State

R_θJC

0.8

1.5

Rev 2 : July 2011

www.aosmd.com

Page 1 of 6

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与AOD482相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AOD484	AOS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD484	FREESCALE	获取价格	30V N-Channel MOSFET
AOD484	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
AOD484_09	AOS	获取价格	30V N-Channel MOSFET
AOD484L	AOS	获取价格	Transistor
AOD486A	AOS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD486A_08	AOS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD488	FREESCALE	获取价格	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET White LED boost converters
AOD488	AOS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD488L	AOS	获取价格	Transistor