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AO3442

更新时间： 2024-11-19 18:09:31
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SOT-23

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AO3442  
LOW VOLTAGE MOSFET (N-CHANNEL)  
FEATURES  
Low on-resistance:VDS=100V,RDS(ON)≤630mΩ@VGS=10V,ID=1A  
For boost converters and synchronous rectifiers applications  
For power supplies and LED backlighting applications  
Surface Mount device  
SOT-23  
MECHANICAL DATA  
Case: SOT-23  
Case Material: Molded Plastic. UL flammability  
Classification Rating: 94V-0  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Symbol  
VDS  
VGS  
ID  
Value  
100  
±20  
1
0.8  
Unit  
V
Gate-source voltage  
V
A
A
TA=25°C  
TA=70°C  
Continuous drain current  
ID  
Pulsed drain current  
IDM  
4
A
*
TA=25°C  
PD  
PD  
1.4  
0.9  
125  
150  
-55 ~+150  
W
W
°C/W  
°C  
°C  
Power dissipation  
TA=70°C  
Thermal resistance from Junction to ambient  
Junction temperature  
RθJA  
TJ  
Storage temperature  
TSTG  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol Min Typ Max Unit  
Conditions  
VGS=0V, ID=250uA  
uA VDS=100V,  
100  
V
Drain-Source breakdown voltage  
Zero gate voltage drain current  
Gate-body leakage current  
Gate-threshold voltage  
V(BR)DSS*  
IDSS  
IGSS  
*
*
1
GS  
V =0V  
±100 nA  
VDS=0V,  
GS  
V =±20V  
VGS(th)  
*
1.7  
2.3  
514  
983 1200  
554  
2.9  
630  
V
mΩ  
mΩ  
mΩ  
A
V =V , I =250μA  
DS  
GS  
D
VGS=10V, ID=1A  
VGS=10V, ID=1A,TJ=125°C  
Drain-source on-resistance  
RDS(ON)  
*
720  
7.5  
GS  
D
V =4.5V, I =0.8A  
ID(ON)  
gFS  
Rg  
*
4
VDS=5V, VGS=10V  
VDS=5V, ID=1A  
VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz  
On-State Drain Current  
Forward transconductance  
Gate resistance  
2.8  
5
S
Ω
2.5  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
100  
13  
5
5
4
pF  
pF  
pF  
nS  
Input capacitance  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
Turn-on rise time  
VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz  
nS VDS=50V, VGS=10V,  
RGEN=3Ω, RL=50Ω  
td(off)  
tf  
Qg  
Qgs  
Qgd  
VSD  
IS  
12  
5
2.8  
0.4  
0.8  
0.9  
nS  
nS  
nC  
nC  
nC  
V
Turn-off delay time  
Turn-off fall time  
Total gate charge  
Gate-source charge  
6
VDS=50V,VGS=10V,ID=1A  
Gate-drain charge  
1.2  
1
Diode forward voltage  
Diode forward current  
Body Diode Reverse Recovery Time  
Body Diode Reverse Recovery Charge  
IS=1A, VGS=0V  
A
trr  
Qrr  
52  
60  
nS IF=5.6A, dI/dt=100A/us  
nC IF=5.6A, dI/dt=100A/us  
*Pulse test ; Pulse width ≤300µs, Duty cycle ≤ 0.5% .  
1 / 6  
©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD  
E-mail:hkt@heketai.com  
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