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AO3442A

更新时间： 2024-11-18 17:15:35

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
6页	440K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:1A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:630mΩ@10V

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AO3442A 数据手册

UMW

UMW AO3442A

100V N-Channel MOSFET

General Description

The AO3442 combines advanced trench MOSFET

technology with a low resistance package to provide

extremely low R_DS(ON). This device is ideal for boost

converters and synchronous rectifiers for consumer,

telecom, industrial power supplies and LED backlighting.

SOT–23

Product Summary

V_DS

100V

I_D(at V_GS=10V)

1. GATE

_DS(ON)(at V_GS=10V)

< 630mΩ

< 720mΩ

2. SOURCE

3. DRAIN

R_DS(ON)(at V_GS=4.5V)

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

100

±20

V_GS

T_A=25°C

T_A=70°C

Continuous Drain

Current

I_D

0.8

Pulsed Drain Current ^C

I_DM

P_D

1.4

T_A=25°C

T_A=70°C

°C

Power Dissipation ^B

0.9

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}

Maximum Junction-to-Lead

≤ 10s

125

R_θJA

Steady-State

100

R_θJL

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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