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AFP02N2-56

更新时间: 2024-09-15 20:04:15
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思佳讯 - SKYWORKS 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 167K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, METAL CERAMIC PACKAGE-4

AFP02N2-56 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.92其他特性:LOW NOISE
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:4 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.09 A
最大漏极电流 (ID):0.09 AFET 技术:HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带:KA BANDJESD-30 代码:O-CRDB-F4
元件数量:1端子数量:4
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:0.2 W
最小功率增益 (Gp):8.5 dB认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches:1

AFP02N2-56 数据手册

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