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AFP02N8-212

更新时间： 2024-09-15 20:24:47
品牌 Logo 应用领域
思佳讯 - SKYWORKS 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 30K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET

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AFP02N8-212 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DISK BUTTON, O-CRDB-F4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：6 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.09 A
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：X BAND
JESD-30 代码：O-CRDB-F4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.3 W最小功率增益 (Gp)：12 dB
认证状态：Not Qualified子类别：FET RF Small Signal
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AFP02N8-212 数据手册

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General Purpose Packaged PHEMT Chips  
AFP02N8-212, AFP02N8-213  
213  
Features  
Drain  
Source  
■ Low Noise Figure, 1.55 dB @ 4 GHz  
■ High Associated Gain, 13 dB @ 4 GHz  
■ High MAG, > 15 dB @ 4 GHz  
■ 0.7 µm Ti/Pd/Au Gates  
Source  
Gate  
Drain  
Source  
■ Passivated Surface  
Source  
Gate  
■ Low Cost Metal Ceramic Package  
■ Available with Two Lead Lengths  
■ Available in Tape and Reel Packaging  
212  
Absolute Maximum Ratings  
Characteristic  
Value  
6 V  
Drain to Source Voltage (V  
)
DS  
Description  
Gate to Source Voltage (V  
)
GS  
-3 V  
The AFP02N8-212, 213 are general purpose packaged  
PHEMT chips that have excellent gain and noise  
performance through X band, making them suitable for a  
wide range of commercial applications. The devices  
employ 0.7 µm Ti/Pd/Au gates and surface passivation to  
ensure a rugged, reliable part. Available in metal ceramic  
packages with a choice of two lead lengths. The  
components are also available in tape and reel and are  
ready for automatic insertion equipment.  
Drain Current (I  
)
I
DSS  
DS  
Gate Current (I  
)
10 µA  
300 mW  
GS  
Total Power Dissipation (P )  
T
Storage Temperature (T  
)
-65 to +150°C  
175°C  
ST  
Channel Temperature (T  
)
CH  
Electrical Specifications at 25°C  
Parameter  
Saturated Drain Current (I  
Transconductance (gm)  
Test Conditions  
Min.  
25.0  
30.0  
-0.4  
-6.0  
Typ.  
55.0  
45.0  
-1.2  
8.0  
Max.  
Unit  
mA  
mS  
V
)
V
V
V
= 2 V, V = 0 V  
90.0  
DSS  
DS  
DS  
DS  
GS  
= 2 V, I = 15 mA  
DS  
Pinch-off Voltage (V )  
= 2 V, I = 0.3 mA  
-2.0  
P
DS  
Gate to Source  
I
= -200 µA  
V
GS  
Breakdown Voltage (V  
)
bgs  
Noise Figure (NF)  
1.55  
13.2  
2.0  
dB  
dB  
V
= 2 V, I = 15 mA, F = 4 GHz  
DS  
DS  
Associated Gain (G )  
12.0  
A
Alpha Industries, Inc. [781] 935-5150 • Fax [617] 824-4579 • Email sales@alphaind.com • www.alphaind.com  
1
Specifications subject to change without notice. 6/99A  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AFP02N8-213 ALPHA

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