是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.88 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 1.1 A |
最大漏源导通电阻: | 3 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-39 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 3 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6660_07 | SUPERTEX | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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2N6660_11 | VISHAY | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
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2N6660-2 | VISHAY | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
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2N6660B | TEMIC | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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2N6660C4 | SEME-LAB | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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2N6660CSM4 | SEME-LAB | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
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