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74LVC1G10GM

更新时间： 2024-11-25 11:11:07
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 光电二极管逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 234K
描述
Single 3-input NAND gateProduction

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74LVC1G10GM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：XSON-6Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.34
Is Samacsys：N系列：LVC/LCX/Z
JESD-30 代码：R-PDSO-N6JESD-609代码：e3
长度：1.45 mm逻辑集成电路类型：NAND GATE
湿度敏感等级：1功能数量：1
输入次数：3端子数量：6
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VSON
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260传播延迟（tpd）：21.5 ns
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：1 mm
Base Number Matches：1

74LVC1G10GM 数据手册

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74LVC1G10  
Single 3-input NAND gate  
Rev. 7 — 2 February 2022  
Product data sheet  
1. General description  
The 74LVC1G10 provides a low-power, low-voltage single 3-input NAND gate.  
The inputs can be driven from either 3.3 V or 5 V devices. This feature allows the use of this device  
in a mixed 3.3 V and 5 V environment.  
Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall time.  
This device is fully specified for partial power-down applications using IOFF. The IOFF circuitry  
disables the output, preventing the damaging backflow current through the device when it is  
powered down.  
2. Features and benefits  
•
Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V  
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•
High noise immunity  
±24 mA output drive (VCC = 3.0 V)  
CMOS low power dissipation  
Latch-up performance exceeds 250 mA  
Direct interface with TTL levels  
Inputs accept voltages up to 5 V  
IOFF circuitry provides partial Power-down mode operation  
Complies with JEDEC standard:  
•
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•
•
JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)  
JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)  
JESD8C (2.7 V to 3.6 V)  
JESD36 (4.5 V to 5.5 V)  
•
ESD protection:  
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•
•
HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V  
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V  
CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V  
•
•
Multiple package options  
Specified from -40 °C to +85 °C and -40 °C to +125 °C  
 
 
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与74LVC1G10GM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
74LVC1G10GM,115 NXP

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 		74LVC1G10 - Single 3-input NAND gate SON 6-Pin
74LVC1G10GN NEXPERIA

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 		Single 3-input NAND gateProduction
74LVC1G10GN NXP

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 		LVC/LCX/Z SERIES, 3-INPUT NAND GATE, PDSO6, 0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115, SON-6
74LVC1G10GN,132 NXP

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 		74LVC1G10 - Single 3-input NAND gate SON 6-Pin
74LVC1G10GS NXP

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 		LVC/LCX/Z SERIES, 3-INPUT NAND GATE, PDSO6, 1 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1202, SON-6
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