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74LVC1G10GM,115

更新时间： 2024-09-14 14:27:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		光电二极管逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	118K
描述
74LVC1G10 - Single 3-input NAND gate SON 6-Pin

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74LVC1G10GM,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SON	包装说明：	VSON, SOLCC6,.04,20
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.49
Is Samacsys：	N	系列：	LVC/LCX/Z
JESD-30 代码：	R-PDSO-N6	JESD-609代码：	e3
长度：	1.45 mm	负载电容（CL）：	50 pF
逻辑集成电路类型：	NAND GATE	最大I（ol）：	0.024 A
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
输入次数：	3	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VSON
封装等效代码：	SOLCC6,.04,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	包装方法：	TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	6.2 ns	传播延迟（tpd）：	21.5 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
座面最大高度：	0.5 mm	子类别：	Gates
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	1 mm
Base Number Matches：	1

74LVC1G10GM,115 数据手册

74LVC1G10

Single 3-input NAND gate

Rev. 3 — 8 December 2011

Product data sheet

1. General description

The 74LVC1G10 provides a low-power, low-voltage single 3-input NAND gate.

The inputs can be driven from either 3.3 V or 5 V devices. This feature allows the use of

this device in a mixed 3.3 V and 5 V environment.

Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall

time.

This device is fully specified for partial power-down applications using I_OFF

The I_OFFcircuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through

the device when it is powered down.

2. Features and benefits

 Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V

 High noise immunity

 Complies with JEDEC standard:

 JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)

 JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)

 JESD8-B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V).

 24 mA output drive (V_CC= 3.0 V)

 CMOS low power consumption

 Latch-up performance exceeds 250 mA

 Direct interface with TTL levels

 Inputs accept voltages up to 5 V

 ESD protection:

 HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V

 MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

 CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V

 Multiple package options

 Specified from 40 C to +85 C and 40 C to +125 C

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
74LVC1G10GN	NEXPERIA	获取价格	Single 3-input NAND gateProduction
74LVC1G10GN	NXP	获取价格	LVC/LCX/Z SERIES, 3-INPUT NAND GATE, PDSO6, 0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115, SON-6
74LVC1G10GN,132	NXP	获取价格	74LVC1G10 - Single 3-input NAND gate SON 6-Pin
74LVC1G10GS	NXP	获取价格	LVC/LCX/Z SERIES, 3-INPUT NAND GATE, PDSO6, 1 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1202, SON-6
74LVC1G10GS	NEXPERIA	获取价格	Single 3-input NAND gateProduction
74LVC1G10GV	NXP	获取价格	Single 3-input NAND gate
74LVC1G10GV	NEXPERIA	获取价格	Single 3-input NAND gateProduction
74LVC1G10GW	NXP	获取价格	Single 3-input NAND gate
74LVC1G10GW	NEXPERIA	获取价格	Single 3-input NAND gateProduction
74LVC1G10GW-Q100	NEXPERIA	获取价格	Single 3-input NAND gate

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