74LVC1G10GV

更新时间： 2024-11-24 05:05:51

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恩智浦 - NXP		栅极逻辑集成电路光电二极管
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Single 3-input NAND gate

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74LVC1G10GV 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否无铅：	不含铅
是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	PLASTIC, SC-74, SOT-457, TSOP-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.28
系列：	LVC/LCX/Z	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	长度：	2.9 mm
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	NAND GATE
最大I（ol）：	0.024 A	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	输入次数：	3
端子数量：	6	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSOP6,.11,37
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：	TAPE AND REEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	6.2 ns
传播延迟（tpd）：	21.5 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	座面最大高度：	1.1 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.95 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	1.5 mm	Base Number Matches：	1

74LVC1G10GV 数据手册

74LVC1G10

Single 3-input NAND gate

Rev. 01 — 2 October 2007

Product data sheet

1. General description

The 74LVC1G10 provides a low-power, low-voltage single 3-input NAND gate.

The inputs can be driven from either 3.3 V or 5 V devices. This feature allows the use of

this device in a mixed 3.3 V and 5 V environment.

Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall

time.

This device is fully speciﬁed for partial power-down applications using I_OFF

The I_OFFcircuitry disables the output, preventing the damaging backﬂow current through

the device when it is powered down.

2. Features

■ Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V

■ High noise immunity

■ Complies with JEDEC standard:

◆ JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)

◆ JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)

◆ JESD8-B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V).

■ ±24 mA output drive (V_CC= 3.0 V)

■ CMOS low power consumption

■ Latch-up performance exceeds 250 mA

■ Direct interface with TTL levels

■ Inputs accept voltages up to 5 V

■ ESD protection:

◆ HBM JESD22-A114E exceeds 2000 V

◆ MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

◆ CDM JESD22-C101-C exceeds 1000 V

■ Multiple package options

■ Speciﬁed from −40 °C to +85 °C and −40 °C to +125 °C

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
74LVC1G10GW	NEXPERIA	功能相似	Single 3-input NAND gateProduction
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74LVC1G10GW-Q100	NEXPERIA	获取价格	Single 3-input NAND gate
74LVC1G10-Q100	NEXPERIA	获取价格	Single 3-input NAND gate
74LVC1G10W6	DIODES	获取价格	SINGLE 3 INPUT POSITIVE NAND GATE
74LVC1G10W6-7	DIODES	获取价格	SINGLE 3 INPUT POSITIVE NAND GATE
74LVC1G11	DIODES	获取价格	SINGLE 3 INPUT POSITIVE AND GATE
74LVC1G11	NXP	获取价格	Single 3-input AND gate
74LVC1G11_1107	DIODES	获取价格	SINGLE 3 INPUT POSITIVE AND GATE
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