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| Source Url Status Check Date： | 2013-06-14 00:00:00 | 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SON | 包装说明： | 1 X 1.45 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-252, SOT-886, SON-6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.35 |
| 系列： | AUP/ULP/V | JESD-30 代码： | R-PDSO-N6 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 1.45 mm |
| 负载电容（CL）： | 30 pF | 逻辑集成电路类型： | NAND GATE |
| 最大I（ol）： | 0.0017 A | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 输入次数： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VSON | 封装等效代码： | SOLCC6,.04,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.2/3.3 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 27.9 ns | 传播延迟（tpd）： | 27.9 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 施密特触发器： | YES |
| 座面最大高度： | 0.5 mm | 子类别： | Gates |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 0.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.1 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 1 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 74AUP1G132GM,115 | NXP | 74AUP1G132 - Low-power 2-input NAND Schmitt trigger SON 6-Pin |
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| 74AUP1G132GM,132 | NXP | 74AUP1G132 - Low-power 2-input NAND Schmitt trigger SON 6-Pin |
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| 74AUP1G132GM-H | NXP | 暂无描述 |
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| 74AUP1G132GN | NXP | AUP/ULP/V SERIES, 2-INPUT NAND GATE, PDSO6, 0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115, SON-6 |
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| 74AUP1G132GN | NEXPERIA | Low-power 2-input NAND Schmitt triggerProduction |
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| 74AUP1G132GS | NXP | AUP/ULP/V SERIES, 2-INPUT NAND GATE, PDSO6, 1 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1202, SON-6 |
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