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74AUP1G132GM

更新时间： 2024-02-13 00:06:32
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安世 - NEXPERIA 光电二极管逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 285K
描述
Low-power 2-input NAND Schmitt triggerProduction

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74AUP1G132GM 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否无铅： 不含铅
是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SON包装说明：1 X 1.45 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-252, SOT-886, SON-6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.35
系列：AUP/ULP/VJESD-30 代码：R-PDSO-N6
JESD-609代码：e3长度：1.45 mm
负载电容（CL）：30 pF逻辑集成电路类型：NAND GATE
最大I（ol）：0.0017 A湿度敏感等级：1
功能数量：1输入次数：2
端子数量：6最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VSON封装等效代码：SOLCC6,.04,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：27.9 ns传播延迟（tpd）：27.9 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：YES
座面最大高度：0.5 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：0.8 V
标称供电电压 (Vsup)：1.1 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：1 mm
Base Number Matches：1

74AUP1G132GM 数据手册

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Nexperia  
74AUP1G132  
Low-power 2-input NAND Schmitt trigger  
11.1. Transfer characteristics  
Table 8. Transfer characteristics  
Voltages are referenced to GND (ground = 0 V; for test circuit see Fig. 9.  
Symbol Parameter  
Conditions  
25 °C  
-40 °C to  
+85 °C  
-40 °C to  
+125 °C  
Unit  
Min  
Typ  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
VT+  
VT-  
VH  
positive-going see Fig. 4 and Fig. 5  
threshold  
voltage  
VCC = 0.8 V  
0.30  
0.53  
0.74  
0.91  
1.37  
1.88  
-
-
-
-
-
-
0.60  
0.90  
1.11  
1.29  
1.77  
2.29  
0.30  
0.53  
0.74  
0.91  
1.37  
1.88  
0.60  
0.90  
1.11  
1.29  
1.77  
2.29  
0.30  
0.53  
0.74  
0.91  
1.37  
1.88  
0.62  
0.92  
1.13  
1.31  
1.80  
2.32  
V
V
V
V
V
V
VCC = 1.1 V  
VCC = 1.4 V  
VCC = 1.65 V  
VCC = 2.3 V  
VCC = 3.0 V  
negative-going see Fig. 4 and Fig. 5  
threshold  
voltage  
VCC = 0.8 V  
0.10  
0.26  
0.39  
0.47  
0.69  
0.88  
-
-
-
-
-
-
0.60  
0.65  
0.75  
0.84  
1.04  
1.24  
0.10  
0.26  
0.39  
0.47  
0.69  
0.88  
0.60  
0.65  
0.75  
0.84  
1.04  
1.24  
0.10  
0.26  
0.39  
0.47  
0.69  
0.88  
0.60  
0.65  
0.75  
0.84  
1.04  
1.24  
V
V
V
V
V
V
VCC = 1.1 V  
VCC = 1.4 V  
VCC = 1.65 V  
VCC = 2.3 V  
VCC = 3.0 V  
hysteresis  
voltage  
(VT+ - VT-); see Fig. 4, Fig. 5,  
Fig. 6 and Fig. 7  
VCC = 0.8 V  
VCC = 1.1 V  
VCC = 1.4 V  
VCC = 1.65 V  
VCC = 2.3 V  
VCC = 3.0 V  
0.07  
0.08  
0.18  
0.27  
0.53  
0.79  
-
-
-
-
-
-
0.50  
0.46  
0.56  
0.66  
0.92  
1.31  
0.07  
0.08  
0.18  
0.27  
0.53  
0.79  
0.50  
0.46  
0.56  
0.66  
0.92  
1.31  
0.07  
0.08  
0.18  
0.27  
0.53  
0.79  
0.50  
0.46  
0.56  
0.66  
0.92  
1.31  
V
V
V
V
V
V
11.2. Waveforms transfer characteristics  
V
V
O
T+  
V
I
V
H
V
T-  
V
O
V
I
V
H
mna208  
V
V
T+  
T-  
mna207  
VT+ and VT- limits at 70 % and 20 %.  
Fig. 4. Transfer characteristic  
Fig. 5. Definition of VT+, VT- and VH  
©
74AUP1G132  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
Nexperia B.V. 2023. All rights reserved  
Product data sheet  
Rev. 9.1 — 11 July 2023  
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
74AUP1G132GM,115 NXP 74AUP1G132 - Low-power 2-input NAND Schmitt trigger SON 6-Pin

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74AUP1G132GM,132 NXP 74AUP1G132 - Low-power 2-input NAND Schmitt trigger SON 6-Pin

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74AUP1G132GM-H NXP 暂无描述

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74AUP1G132GN NXP AUP/ULP/V SERIES, 2-INPUT NAND GATE, PDSO6, 0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115, SON-6

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74AUP1G132GN NEXPERIA Low-power 2-input NAND Schmitt triggerProduction

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