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74AUP1G132GM

更新时间： 2024-02-18 07:12:20
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 光电二极管逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 285K
描述
Low-power 2-input NAND Schmitt triggerProduction

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74AUP1G132GM 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否无铅： 不含铅
是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SON包装说明：1 X 1.45 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-252, SOT-886, SON-6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.35
系列：AUP/ULP/VJESD-30 代码：R-PDSO-N6
JESD-609代码：e3长度：1.45 mm
负载电容（CL）：30 pF逻辑集成电路类型：NAND GATE
最大I（ol）：0.0017 A湿度敏感等级：1
功能数量：1输入次数：2
端子数量：6最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VSON封装等效代码：SOLCC6,.04,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：27.9 ns传播延迟（tpd）：27.9 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：YES
座面最大高度：0.5 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：0.8 V
标称供电电压 (Vsup)：1.1 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：1 mm
Base Number Matches：1

74AUP1G132GM 数据手册

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Nexperia  
74AUP1G132  
Low-power 2-input NAND Schmitt trigger  
11. Static characteristics  
Table 7. Static characteristics  
At recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).  
Symbol Parameter  
Tamb = 25 °C  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VOH  
HIGH-level output voltage VI = VT+ or VT-  
IO = -20 μA; VCC = 0.8 V to 3.6 V  
VCC - 0.1  
0.75 × VCC  
1.11  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
IO = -1.1 mA; VCC = 1.1 V  
IO = -1.7 mA; VCC = 1.4 V  
IO = -1.9 mA; VCC = 1.65 V  
IO = -2.3 mA; VCC = 2.3 V  
IO = -3.1 mA; VCC = 2.3 V  
IO = -2.7 mA; VCC = 3.0 V  
IO = -4.0 mA; VCC = 3.0 V  
1.32  
2.05  
1.9  
2.72  
2.6  
VOL  
LOW-level output voltage VI = VT+ or VT-  
IO = 20 μA; VCC = 0.8 V to 3.6 V  
IO = 1.1 mA; VCC = 1.1 V  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1  
0.3 × VCC  
0.31  
V
V
IO = 1.7 mA; VCC = 1.4 V  
V
IO = 1.9 mA; VCC = 1.65 V  
IO = 2.3 mA; VCC = 2.3 V  
0.31  
V
0.31  
V
IO = 3.1 mA; VCC = 2.3 V  
0.44  
V
IO = 2.7 mA; VCC = 3.0 V  
0.31  
V
IO = 4.0 mA; VCC = 3.0 V  
0.44  
V
II  
input leakage current  
VI = GND to 3.6 V; VCC = 0 V to 3.6 V  
±0.1  
μA  
μA  
μA  
IOFF  
ΔIOFF  
power-off leakage current VI or VO = 0 V to 3.6 V; VCC = 0 V  
±0.2  
additional power-off  
leakage current  
VI or VO = 0 V to 3.6 V;  
VCC = 0 V to 0.2 V  
±0.2  
ICC  
supply current  
VI = GND or VCC; IO = 0 A;  
VCC = 0.8 V to 3.6 V  
-
-
0.5  
μA  
ΔICC  
CI  
additional supply current  
input capacitance  
VI = VCC - 0.6 V; IO = 0 A; VCC = 3.3 V  
VI = GND or VCC; VCC = 0 V to 3.6 V  
VO = GND; VCC = 0 V  
[1]  
-
-
-
-
40  
-
μA  
pF  
pF  
1.1  
1.7  
CO  
output capacitance  
-
Tamb = -40 °C to +85 °C  
VOH  
HIGH-level output voltage VI = VT+ or VT-  
IO = -20 μA; VCC = 0.8 V to 3.6 V  
IO = -1.1 mA; VCC = 1.1 V  
IO = -1.7 mA; VCC = 1.4 V  
IO = -1.9 mA; VCC = 1.65 V  
IO = -2.3 mA; VCC = 2.3 V  
IO = -3.1 mA; VCC = 2.3 V  
IO = -2.7 mA; VCC = 3.0 V  
IO = -4.0 mA; VCC = 3.0 V  
VCC - 0.1  
0.7 × VCC  
1.03  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
1.30  
1.97  
1.85  
2.67  
2.55  
©
74AUP1G132  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
Nexperia B.V. 2023. All rights reserved  
Product data sheet  
Rev. 9.1 — 11 July 2023  
5 / 19  
 
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74AUP1G132GM-H NXP 暂无描述

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74AUP1G132GN NXP AUP/ULP/V SERIES, 2-INPUT NAND GATE, PDSO6, 0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115, SON-6

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