Datasheet > 70P245L65BYI

70P245L65BYI

更新时间： 2024-02-12 09:26:12

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	146K
描述
Application Specific SRAM, 4KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, BGA-100

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

70P245L65BYI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	BGA, BGA100,10X10,20
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	65 ns
其他特性：	IT CAN ALSO OPERATE AT 2.5 TO 3 VOLT NOMINAL SUPPLY	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PBGA-B100	JESD-609代码：	e0
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	100
字数：	4096 words	字数代码：	4000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA100,10X10,20
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	1.8/3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.000008 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.07 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

70P245L65BYI 数据手册

IDT70P265/255/245L

VERY LOW POWER 1.8V

16K/8K/4K X 16 DUAL-PORT

STATIC RAM

Features

◆

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

One port with dedicated time-muliplexed address/data

(ADM) interface

Power supply isolation functionality to aid system power

management

Separate upper-byte and lower-byte control

Supports 3.0V, 2.5V and 1.8V I/O's

Input Read Register

Output Drive Register

BUSY and Interrupt Flag

On-chip port arbitration logic

Fully asynchronous operation from either port

Available in 100 Ball 0.5mm-pitch BGA

Industrial temperature range (-40°C to +85°C)

Green parts available, see ordering information

◆

One port configurable to standard SRAM or time-multi-

plexed address/data interface

High-speed access

– Industrial: 65ns (max.), ADM mode

– Industrial: 40ns (max.), Standard SRAM mode

Low-power operation

◆

IDT70P265/255/245L

Active:27mW(typ.)

Standby:3.6µW(typ.)

Functional Block Diagram

IRR1 – IRR0 ⁽²⁾

ODR4 – ODR0

SFEN

IRR/ODR

I/O_15L– I/O_8L

Data <15..0>

I/O_7L– I/O_0L

I/O_15R– I/O_8R

Data <15..0>

I/O_7R– I/O_0R

Mux’ed

Address /

Memory Array

Address /

Data

I/O Control

16K/8K/4K x 16

Data

I/O Control

ADV_L

ADV_R

UB_R

LB_R

AddrL <13..0>

AddrR <13..0>

UB_L

LB_L

A_13R– A_0R

Address

Decode

Address

Decode

MSEL

CS_L

OE_L

CS_R

Control Logic

OE_R

WE_L

WE_R

BUSY_R

INT_R

BUSY_L

INT_L

7145 drw 01

NOTES:

1. A13 - A0 for IDT70P265; A12 - A0 for IDT70P255; A11 - A0 for IDT70P245.

2. IRR0 and IRR1 are not available for IDT70P265.

OCTOBER 2008

DSC-7145/1

12 3 4 5 6 7...22

下载PDF

与70P245L65BYI相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
70P245L90BYGI	IDT	Dual-Port SRAM, 4KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.5 MM PITCH, GREEN, BGA-100	获取价格
70P245L90BYGI8	IDT	Dual-Port SRAM, 4KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100	获取价格
70P245L90BYI	IDT	Application Specific SRAM, 4KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, BGA-100	获取价格
70P246L55BYGI	IDT	Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, B	获取价格
70P246L55BYGI8	IDT	SRAM	获取价格
70P246L55BYI	IDT	SRAM	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

70P245L65BYI

70P245L65BYI 技术参数

70P245L65BYI 数据手册

与70P245L65BYI相关器件

与70P245L65BYI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

70P245L65BYI

70P245L65BYI 技术参数

70P245L65BYI 数据手册

与70P245L65BYI相关器件

与70P245L65BYI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？