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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | BGA, BGA81,9X9,20 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.69 |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B81 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 131072 bit | 内存集成电路类型： | APPLICATION SPECIFIC SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 81 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA81,9X9,20 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.000006 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.025 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 70P255L65BYGI8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 8KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100 |
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| 70P255L65BYI | IDT |
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Application Specific SRAM, 8KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, BGA-100 |
|
| 70P255L90BYGI8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 8KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100 |
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| 70P255L90BYI | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 8KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, BGA-100 |
|
| 70P256L55BYI8 | IDT |
获取价格 |
SRAM |
|
| 70P257L55BYI8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 0.5 MM PITCH, BGA-100 |
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| 70P258L55BYGI8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, B |
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| 70P259L65BYGI8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 8KX16, 40ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100 |
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| 70P259L65BYI | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 8KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM, BGA-100 |
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| 70P259L65BYI8 | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 8KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM, BGA-100 |
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