是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | BGA, BGA100,10X10,20 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.52 |
最长访问时间: | 90 ns | 其他特性: | IT CAN OPERATE ALSO 2.5 TO 3 VOLT |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PBGA-B100 |
JESD-609代码: | e1 | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 100 |
字数: | 16384 words | 字数代码: | 16000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 16KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA100,10X10,20 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 1.8/3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.000008 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.06 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70P265L90BYI | IDT |
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Application Specific SRAM, 16KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, BGA-100 | |
70P269L65BYI | IDT |
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Application Specific SRAM, 16KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM, BGA-100 | |
70P269L90BYGI8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 60ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100 | |
70P269L90BYI | IDT |
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Application Specific SRAM, 16KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM, BGA-100 | |
70P27L12PF | IDT |
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TQFP-100, Tray | |
70P27L12PF8 | IDT |
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TQFP-100, Reel | |
70P27L12PFG | IDT |
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TQFP-100, Tray | |
70P27L12PFI8 | IDT |
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TQFP-100, Reel | |
70P27L15PF | IDT |
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TQFP-100, Tray | |
70P27L15PF8 | IDT |
获取价格 |
TQFP-100, Reel |