是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | BGA, BGA100,10X10,20 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.45 |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B100 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 100 | 字数: | 4096 words |
字数代码: | 4000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 4KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA100,10X10,20 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.000008 A |
最小待机电流: | 1.7 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.025 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
70P248L55BYI | IDT | Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, BGA-100 |
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70P248L55BYI8 | IDT | Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, BGA-100 |
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70P249L65BYGI8 | IDT | Dual-Port SRAM, 4KX16, 40ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100 |
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70P249L65BYI | IDT | Application Specific SRAM, 4KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM, BGA-100 |
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70P249L90BYGI8 | IDT | Dual-Port SRAM, 4KX16, 60ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100 |
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70P249L90BYI | IDT | Application Specific SRAM, 4KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM, BGA-100 |
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