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70P247L55BYI8

更新时间： 2024-01-04 01:40:09
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 295K
描述
Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 0.5 MM PITCH, BGA-100

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70P247L55BYI8 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：BGA, BGA100,10X10,20针数：100
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.45
最长访问时间：55 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PBGA-B100JESD-609代码：e0
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：2
端子数量：100字数：4096 words
字数代码：4000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA100,10X10,20封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.000008 A
最小待机电流：1.7 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.025 mA最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：BALL端子节距：0.5 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：20
Base Number Matches：1

70P247L55BYI8 数据手册

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IDT70P257/247L  
Preliminary  
Low Power 1.8V 8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM  
Industrial Temperature Range  
Capacitance  
MaximumOperatingTemperature  
andSupplyVoltage(1)  
(TA = +25°C, f = 1.0MHz)  
Symbol  
Parameter  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Conditions(2)  
IN = 3dV  
OUT = 3dV  
Max. Unit  
Grade  
Industrial  
Ambient  
GND  
V
DD  
Temperature  
CIN  
V
9
pF  
-40OC to +85OC  
0V  
1.8V  
+
100mV  
COUT  
V
11  
pF  
5684 tbl 05  
5684 tbl 07  
NOTES:  
1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.  
NOTES:  
1. This parameter is determined by device characterization but is not production  
tested.  
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output signals  
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.  
RecommendedDCOperatingConditions  
Symbol  
Parameter  
Min.  
1.7  
0
Typ.  
Max.  
Unit  
Supply Voltage(3)  
Ground  
V
V
V
V
DD  
SS  
IH  
1.8  
1.9  
V
0
0
V
___  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
1.2  
-0.2  
V
DD + 0.2  
V
V
___  
IL  
0.4  
5684 tbl 06  
NOTES:  
1. VIL > -1.5V for pulse width less than 10ns.  
2. VTERM must not exceed VDD + 0.3V.  
3. M/S operates at the VDD and VSS voltage levels.  
6.42  
5
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
70P248L55BYI IDT Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, BGA-100

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