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5SMX12E1273

更新时间： 2024-01-06 19:44:34

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ABB		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	68K
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IGBT-Die

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5SMX12E1273 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
最大集电极电流 (IC)：	25 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-XUUC-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	535 ns
标称接通时间 (ton)：	185 ns	Base Number Matches：	1

5SMX12E1273 数据手册

5SMX 12E1273

V_GE= 0 V

f_OSC= 1 MHz

V_OSC= 50 mV

C_ies

V_CC= 600 V

V_CC= 800 V

C_oes

0.1

C_res

I_C= 25 A

T_vj= 25 °C

0.01

0.00

0.05

0.10

0.15

0.20

Q_g[µC]

V_CE[V]

Fig. 5

Typical gate charge characteristics

Fig. 6

Typical capacitances vs

collector-emitter voltage

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

ABB Switzerland Ltd

Semiconductors

Doc. No. 5SYA 1632-00 June 05

Fabrikstrasse 3

CH-5600 Lenzburg, Switzerland

Telephone +41 (0)58 586 1419

Fax

+41 (0)58 586 1306

Internet

abbsem@ch.abb.com

www.abb.com/semiconductors

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