Datasheet > 3SK254-U1E

3SK254-U1E

更新时间： 2024-09-16 19:42:31

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	50K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SUPERMINI-4

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

3SK254-U1E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.34	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最大漏极电流 (ID)：	0.025 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	0.03 pF	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DUAL GATE, DEPLETION MODE	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	16 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

3SK254-U1E 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

3SK254

RF AMPLIFIER FOR CATV TUNER

N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR

4 PINS SUPER MINI MOLD

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

•

Low VDD Use

(VDS = 3.5 V)

(Unit: mm)

Driving Battery

2.1±0.2

Low Noise Figure : NF1 = 2.0 dB TYP. (f = 470 MHz)

NF2 = 0.8 dB TYP. (f = 55 MHz)

1.25±0.1

•

High Power Gain : G^PS= 19.0 dB TYP. (f = 470 MHz)

Suitable for use as RF amplifier in CATV tuner.

Automatically Mounting : Embossed Type Taping

Small Package

4 Pins Super Mini Mold

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

Drain to Source Voltage

Gate1 to Source Voltage

Gate2 to Source Voltage

Gate1 to Drain Voltage

Gate2 to Drain Voltage

Drain Current

VDSX

V^G1S

V^G2S

VG1D

V^G2D

I^D

±8^*1

130^*2

°C

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

T^ch

125

T^stg

–55 to +125

PIN CONNECTIONS

1. Source

2. Drain

3. Gate2

4. Gate1

*1: R^L≥ 10 kΩ

*2: Free air

PRECAUTION:

Avoid high static voltages or electric fields so that this device would not suffer from any damage due to those voltage

or fields.

Document No. P10585EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TD-2307)

Date Published August 1995 P

Printed in Japan

1993

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与3SK254-U1E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
3SK254-U1E-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK255	NEC	获取价格	RF AMPLIFIER FOR UHF TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS SUPER
3SK255(NE93318)	ETC	获取价格	Discrete
3SK255-U1G	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK255-U1G-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK256	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE (TV TUNER, UHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS)
3SK256TE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal
3SK257	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE (TV, FM TUNER, VHF, UHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS)
3SK257TE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal
3SK257TE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal

与3SK254-U1E相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

6
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

6
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

88
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

79

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

3SK254-U1E

3SK254-U1E 技术参数

3SK254-U1E 数据手册

与3SK254-U1E相关器件

与3SK254-U1E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

3SK254-U1E

3SK254-U1E 技术参数

3SK254-U1E 数据手册

与3SK254-U1E相关器件

与3SK254-U1E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？