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3SK256

更新时间: 2024-09-15 22:36:19
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东芝 - TOSHIBA 晶体射频放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管电视光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 231K
描述
N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE (TV TUNER, UHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS)

3SK256 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.32Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:13.5 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.03 A
最大漏极电流 (ID):0.03 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):0.03 pF最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4工作模式:DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240极性/信道类型:N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp):18 dB认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

3SK256 数据手册

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