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3SK260-Y

更新时间: 2024-11-06 13:04:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体射频放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管电视光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 231K
描述
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, USQ, 2-2K1B, 4 PIN, FET RF Small Signal

3SK260-Y 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.25Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:13.5 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.03 A
最大漏极电流 (ID):0.03 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):0.04 pF最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:4
工作模式:DUAL GATE, DEPLETION MODE最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:N-CHANNEL最小功率增益 (Gp):21 dB
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

3SK260-Y 数据手册

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